[发明专利]磁记录介质及其制造方法有效
申请号: | 200710136235.3 | 申请日: | 2007-07-11 |
公开(公告)号: | CN101159139A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 李斗铉;尹成龙;孙镇昇;李丙圭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66;G11B5/84 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种磁记录介质及其制造方法,更具体地讲,涉及一种具有图案化的粒状结构(patterned granular structure)的磁记录介质以及制造该磁记录介质的方法。
背景技术
已经提出了用于制造具有磁性颗粒图案(magnetic grain pattern)的磁记录介质的各种方法。这些方法包括:1)利用纳米压印方法在基底上形成纳米孔洞图案,接着,通过电镀、气相沉积等形成记录层以填充形成在基底上的纳米孔洞;2)通过纳米压印方法等在包括记录层的基底上形成纳米柱(nano pillar)图案,并对记录层进行蚀刻;3)利用纳米压印方法在基底上形成纳米柱并对基底进行蚀刻以在基底上形成纳米柱阵列,接着,在设置有纳米柱阵列的基底上沉积记录层,从而形成物理上独立的纳米柱阵列结构;或者4)在基底上沉积记录层,并利用具有纳米孔洞的模板掩膜(stencil mask)将离子选择性地注入记录层中以使记录层形成图案,从而选择性地改变记录层的磁特性。
通过上述方法形成的记录层的磁特性通常次于按照传统的连续法通过溅射形成的记录层的磁特性。遗憾的是,在将记录层沉积在纳米孔洞或者纳米柱上期间或者在后续操作(例如,蚀刻、提离(lifting-off)或者离子注入)期间,由于包含通过溅射产生的记录层的记录介质的磁特性可能变差或者记录层可能受到污染,所以溅射也存在缺点。
发明内容
本发明提供一种包括记录层的磁记录介质以及制造该磁记录介质的方法,在所述记录层上形成规则的粒状结构,而不需要另外的处理。
根据本发明的一方面,提供一种磁记录介质,该磁记录介质包括按顺序堆叠在基底上的软磁下层、纹理层和记录层,其中,纹理层包括规则的图案,记录层包括与纹理层的规则的图案对应地形成的磁性颗粒。
根据本发明的另一方面,提供一种制造磁记录介质的方法,该磁记录介质包括按顺序层叠在基底上的软磁下层、纹理层和记录层,所述方法包括以下步骤:在纹理层上形成规则的图案,其中,规则的图案形成为隔离的突出部分和围绕隔离的突出部分的沟槽;形成记录层,以具有规则的粒状结构,所述粒状结构由磁性颗粒和非磁区域形成,磁性颗粒与纹理层的各个隔离的突出部分对应地形成,非磁区域与所述沟槽对应地形成。
附图说明
通过参照附图对本发明的实施例进行的详细描述,本发明的上述和其它特点和优点将会变得更加清楚,其中:
图1A是示出根据本发明实施例的磁记录介质的示意性剖视图;
图1B是示出根据本发明实施例的图1A的磁记录介质的记录层的粒状结构的示图;
图2是示出根据本发明另一实施例的磁记录介质的示意性剖视图;
图3A至图3F示出了用于解释根据本发明实施例的制造与图1A的磁记录介质相似的磁记录介质的方法的示图;
图4A至图4E示出了用于解释根据本发明另一实施例的制造与图1A的磁记录介质相似的磁记录介质的方法的示图;
图5A至图5F示出了用于解释根据本发明另一实施例的制造磁记录介质的方法的示图。
具体实施方式
现在将参照示出了本发明的示例性实施例的附图对磁记录介质以及制造该磁记录介质的方法进行更加充分的描述。
图1A是示出根据本发明实施例的磁记录介质的示意性剖视图,图1B是示出根据本发明示例性实施例的图1A的磁记录介质的记录层160的粒状结构的示图。
参照图1A和图1B,根据本发明当前实施例的磁记录介质具有形成在基底100上的层压结构。层压结构或者按顺序堆叠的结构包括软磁下层110、中间层120、纹理(texturing)层140和包含磁性颗粒161的记录层160。本发明的当前实施例的特征在于:通过在中间层120上形成的图案来调节记录层160的磁性颗粒161的大小和排列。钝化层(未示出)可形成在记录层160上以保护记录层160。此外,润滑层(未示出)可形成在钝化层上,从而当磁头与钝化层碰撞或者在钝化层上滑动时,减小磁头和钝化层的磨损。
基底100由玻璃基底、铝合金基底或者硅基底形成。通常,基底100可呈盘形。
软磁下层110促使来自磁头(未示出)的磁束通过磁记录介质中的磁性回路,从而记录层160可被有效地磁化。为此,软磁下层110由具有高导磁率和低矫顽磁力的软磁材料形成。此外,软磁下层110可形成为多个子层。
中间层120由非磁性金属、氧化物、氮化物或者聚合物混合物形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710136235.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。