[发明专利]半导体基板表面的化学处理方法及其装置有效
| 申请号： | 200710135836.2 | 申请日： | 2007-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101256953A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 季静佳;覃榆森;施正荣 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C23F1/24 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱梅;徐志明 |
| 地址： | 214028江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制造工业领域。具体公开了一种新的半导体基板表面的化学处理方法及其装置。本发明化学处理方法是利用支架将半导体基板放置在化学溶液的上方，且半导体基板的下表面与化学溶液的液面之间有一定的距离，通过喷射装置将化学溶液喷射到半导体基板的下表面，从而对下表面进行化学处理的。本发明的装置包括容纳化学溶液的化学槽，将半导体基板放置在化学溶液上方的支架，以及把化学溶液喷射到半导体基板的下表面的喷射装置。本发明的化学处理方法及其装置可以只对半导体基板的某一个表面进行化学处理，而同时不需要对另一个表面做任何的保护。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 化学 处理 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1. 半导体基板表面的化学处理方法，其特征在于，利用支架将半导体基板放置在化学槽内的化学溶液的上方，且半导体基板的下表面与化学溶液的液面之间有一定的距离，通过喷射装置将化学溶液喷射到半导体基板的下表面，从而润湿半导体基板的下表面，对半导体基板的下表面进行化学处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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