[发明专利]半导体基板表面的化学处理方法及其装置有效
| 申请号： | 200710135836.2 | 申请日： | 2007-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101256953A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 季静佳;覃榆森;施正荣 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C23F1/24 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱梅;徐志明 |
| 地址： | 214028江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 化学 处理 方法 及其 装置 | ||
1. 半导体基板表面的化学处理方法，其特征在于，利用支架将半导体基板放置在化学槽内的化学溶液的上方，且半导体基板的下表面与化学溶液的液面之间有一定的距离，通过喷射装置将化学溶液喷射到半导体基板的下表面，从而润湿半导体基板的下表面，对半导体基板的下表面进行化学处理。
2. 根据权利要求1所述的化学处理方法，其特征在于，所述的半导体基板是指由半导体材料制成的薄片，厚度为50-500微米。
3. 根据权利要求1所述的化学处理方法，其特征在于，半导体基板的下表面与化学槽内的化学溶液的液面之间的距离为0.1-10mm。
4. 根据权利要求3所述的化学处理方法，其特征在于，半导体基板的下表面与化学槽内的化学溶液的液面之间的距离为1-3mm。
5. 根据权利要求1所述的化学处理方法，其特征在于，所述的化学溶液是单一组分的化学溶液或是多组分的化学溶液。
6. 根据权利要求1所述的化学处理方法，其特征在于，使用喷射装置对半导体基板的下表面喷射化学溶液，采用间歇喷射或连续喷射的方式。
7. 根据权利要求1或6所述的化学处理方法，其特征在于，喷射装置喷出的化学溶液的高度为半导体基板的下表面和喷射装置的上端口之间的距离。
8. 根据权利要求6所述的化学处理方法，其特征在于，使用喷射装置对半导体基板的下表面进行间歇喷射化学溶液时，可以一次或者数次。
9. 半导体基板表面的化学处理装置，其特征在于，包括：容纳化学溶液的化学槽，将半导体基板放置在化学溶液上方的支架，以及把化学溶液喷射到半导体基板下表面的喷射装置。
10. 根据权利要求9所述的化学处理装置，其特征在于，所述的支架具有传送功能，可以使所述的半导体基板沿某一个方向水平的移动。
11. 根据权利要求9所述的化学处理装置，其特征在于，所述的化学槽内容纳有化学溶液，并安装有所述的喷射装置。
12. 根据权利要求9所述的化学处理装置，其特征在于，所述的喷射装置在化学槽内可以是一个或者数个，每个喷射装置喷射的化学溶液可以相同或者不同。
13. 根据权利要求9所述的化学处理装置，其特征在于，所述的喷射装置的宽度等同于半导体基板的宽度，或略小于半导体基板的宽度。
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