[发明专利]包含反熔丝写电压生成电路的半导体存储器装置有效
| 申请号： | 200710135773.0 | 申请日： | 2007-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101127244A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 富田浩由 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/24 | 分类号： | G11C29/24;G11C29/44;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵淑萍 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种包含反熔丝写电压生成电路的半导体存储器装置，其能够减小反熔丝写电压生成电路的电路规模。该半导体存储器装置具有用于对外部电源电压升压以生成第一内部电源的第一内部电源生成电路、被提供了第一内部电源的存储器核心、用于写预定信息的反熔丝存储器，以及对第一内部电源升压以生成反熔丝写电压的写电压生成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 反熔丝写 电压 生成 电路 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种被施加外部电源电压的半导体存储器装置，包括：第一内部电源生成电路，所述第一内部电源生成电路对所述外部电源电压升压，以生成第一内部电源；存储器核心，所述第一内部电源被提供到所述存储器核心；反熔丝存储器，预定信息被写入其中；以及写电压生成电路，所述写电压生成电路对所述第一内部电源升压，以生成反熔丝写电压，其中通过对其施加所述反熔丝写电压，对所述反熔丝存储器的反熔丝的写入被执行。
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