[发明专利]微机电系统器件结构中绝缘层厚度的电学测试结构有效
| 申请号： | 200710135587.7 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101158568A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李伟华;钱晓霞 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01B7/06 | 分类号： | G01B7/06;B81C5/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 奚幼坚 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种表面加工MEMS器件结构中绝缘层厚度的电学测试结构，其基本出发点是通过电学测量的方式得到绝缘层厚度值。在表面加工工艺中，MEMS器件结构绝缘层通常是二氧化硅、氮化硅或聚合物。本发明利用绝缘层材料上面具有导电性质的多晶硅和绝缘层上的沟槽，设计电学测试结构，通过测量多晶硅条的电阻并代入数学模型求得绝缘层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 器件 结构 绝缘 厚度 电学 测试 | ||
【主权项】：
1.微机电系统器件结构中绝缘层厚度的电学测试结构，MEMS器件结构中设有多层不同绝缘材料制成的绝缘层，其特征是利用待测绝缘层上面具有导电性质的多晶硅条和绝缘层上的沟槽形成电学测试结构，通过测量多晶硅条的电阻并代入数学模型求得绝缘层的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710135587.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多功能香烟名片盒
- 下一篇：一种对油田污水除硅、净水、软化于一体的方法
