[发明专利]微机电系统器件结构中绝缘层厚度的电学测试结构有效
| 申请号： | 200710135587.7 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101158568A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李伟华;钱晓霞 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01B7/06 | 分类号： | G01B7/06;B81C5/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 奚幼坚 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微机 系统 器件 结构 绝缘 厚度 电学 测试 | ||
【权利要求书】：
1.微机电系统器件结构中绝缘层厚度的电学测试结构，MEMS器件结构中设有多层不同绝缘材料制成的绝缘层，其特征是利用待测绝缘层上面具有导电性质的多晶硅条和绝缘层上的沟槽形成电学测试结构，通过测量多晶硅条的电阻并代入数学模型求得绝缘层的厚度。
2.根据权利要求1所述的微机电系统器件结构中绝缘层厚度的电学测试结构，其特征是测试结构制作区域的绝缘层位于其他不同属性的绝缘层之上，在待测厚度的绝缘层上制作沟槽，沟槽的深度达到该绝缘层的厚度，即穿透绝缘层，在沟槽上分别制作水平和具有角度的多晶硅条并穿越沟槽，形成两个电阻R1、R2；在绝缘层平面上制作具有相同角度的多晶硅直条，形成电阻R3；测量电阻R1、R2、R3，代入数学模型计算绝缘层的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的微机电系统器件结构中绝缘层厚度的电学测试结构，其特征是在多晶硅条两端各设有一块用于测试接触的金属。
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