[发明专利]巯基烷基烷氧基硅烷的制备方法无效
| 申请号： | 200710134642.0 | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101423528A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陶荣辉;李建中;赵世勇;陈剑;方剑慧 | 申请（专利权）人： | 张家港市国泰华荣化工新材料有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/18 | 分类号： | C07F7/18 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所 | 代理人： | 黄春松 |
| 地址： | 215631江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种成本较低、适合工业化大规模生产的巯基烷基烷氧基硅烷的制备方法，包括如下步骤：(一)在惰性气体保护下，将醇钠投入高压釜内；(二)然后向高压釜内通入硫化氢，温度控制在10℃～70℃，釜内压力控制在0.01～2MPa；(三)接着向高压釜内滴加氯烷基烷氧基硅烷，温度控制在10℃～150℃之间，釜内压力控制在0.01～2MPa之间；(四)再将上述反应物过滤，收集滤液进行减压蒸馏，收集馏份得到目标物质巯基烷基烷氧基硅烷；本发明的优点是：工艺简单，减少了对环境的污染，产品收率达90％以上，纯度可达98％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 巯基 烷基 烷氧基 硅烷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、巯基烷基烷氧基硅烷的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(一)在惰性气体保护下，将醇钠投入高压釜内；(二)然后向高压釜内通入硫化氢，温度控制在10℃～70℃，釜内压力控制在0.01～2Mpa；(三)接着向高压釜内滴加氯烷基烷氧基硅烷，温度控制在10℃～150℃之间，釜内压力控制在0.01～2Mpa之间。(四)再将上述反应物过滤，收集滤液进行减压蒸馏，收集馏份得到目标物质巯基烷基烷氧基硅烷。
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