[发明专利]一种双层复合薄膜非挥发存储器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于硫化亚铜(Cu₂S)和酞菁铜(Cu－Pc)的双层薄膜非挥发性记忆器件的制备。该器件总共包含五层结构，在镀有铂金电极(2)的基底(1)表面溅射一层绝缘阻隔层(3)，并通过FIB工艺刻蚀圆孔，在绝缘层表面沉积一层酞菁铜(Cu－Pc)，随后溅射沉积一层硫化亚铜(Cu₂S)，接着在其表面沉积一层铜电极(5)，最后分别从电极引出导线(6)。该方法提供了一种新型有机记忆存储器件制备途径，具有工作电压低，体积小，成本低，非挥发，读写高低阻态高等优点。

主权项

1.一种非挥发存储器件，由基底层，底电极，顶电极，绝缘层，薄膜层所构成，其特征在于该器件中的薄膜层(4)为一个有机材料和无机材料双层复合结构，它是在有机染料酞菁铜薄膜上叠加一层无机硫化亚铜薄膜的复合结构，在硫化亚铜薄膜上部为顶电极(5)，酞菁铜薄膜通过绝缘层(3)上的微孔与底电极(2)相接触，底电极(2)置于基底层(1)上，并由顶电极(5)和底电极(2)分别接出引线(6)。