[发明专利]电子发射源、形成其的组合物和方法以及电子发射装置无效

专利信息
申请号: 200710129276.X 申请日: 2007-04-26
公开(公告)号: CN101127288A 公开(公告)日: 2008-02-20
发明(设计)人: 金柱英 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01J1/30 分类号: H01J1/30;H01J29/04;C07F7/02;C08L83/04;C08K3/04;H01J9/02;H01J31/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李炳爱
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种电子发射源、用于形成该电子发射源的组合物、形成该电子发射源的方法以及包括该电子发射源的电子发射装置。所述用于形成电子发射源的组合物包含:碳基材料、硅基材料和载体,其中所述硅基材料为以右式(1)、式(2)和式(3)表示的硅基材料中的至少一种,其中R1-R22各自独立为取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C1-C20烯基、卤素原子、羟基或巯基,m和n各自独立为0-1000的整数。在显影和活化过程中,与不包含硅基材料的用于形成电子发射源的组合物相比,所述组合物具有改善的与基板的粘附性和改善的抗剥离性能。
搜索关键词: 电子 发射 形成 组合 方法 以及 装置
【主权项】:
1.一种电子发射源,所述电子发射源包含碳基材料以及经过固化和热处理硅基材料形成的产物材料,其中所述硅基材料为下式(1)、式(2)和式(3)表示的硅基材料中的至少一种:式(1)式(2)式(3)其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21和R22各自独立为取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C1-C20烯基、卤素原子、羟基或巯基,并且m和n各自独立为0-1000的整数。
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