[发明专利]电子发射源、形成其的组合物和方法以及电子发射装置无效

专利信息
申请号: 200710129276.X 申请日: 2007-04-26
公开(公告)号: CN101127288A 公开(公告)日: 2008-02-20
发明(设计)人: 金柱英 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01J1/30 分类号: H01J1/30;H01J29/04;C07F7/02;C08L83/04;C08K3/04;H01J9/02;H01J31/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李炳爱
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 电子 发射 形成 组合 方法 以及 装置
【权利要求书】:

1.一种电子发射源,所述电子发射源包含碳基材料以及经过固化和热处理硅基材料形成的产物材料,其中所述硅基材料为下式(1)、式(2)和式(3)表示的硅基材料中的至少一种:

式(1)

式(2)

式(3)

其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21和R22各自独立为取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C1-C20烯基、卤素原子、羟基或巯基,并且m和n各自独立为0-1000的整数。

2.权利要求1的电子发射源,其中所述硅基材料的重均分子量为100-100000。

3.权利要求1的电子发射源,其中C1-20烷基、C1-C20烷氧基或C1-C20烯基被至少一种选自以下的基团取代:氨基、羟基、卤素原子、羧基、环氧基、C1-C20烷氧基和C6-C10环烷基。

4.权利要求1的电子发射源,其中所述硅基材料由下式(1a)表示:

式(1a)

5.权利要求1的电子发射源,其中所述硅基材料由下式(2a)表示:

式(2a)

6.权利要求1的电子发射源,其中所述硅基材料由下式(3a)表示:

式(3a)

7.一种用于形成电子发射源的组合物,所述组合物包含:

碳基材料;

硅基材料,以及

载体;

其中所述硅基材料为式(1)、式(2)和式(3)表示的硅基材料中的至少一种;

式(1)

式(2)

式(3)

其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21和R22各自独立为取代或未取代的C1-C20烷基、取状或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C1-C20烯基、卤素原子、羟基或巯基,并且m和n各自独立为0-1000的整数。

8.权利要求7的用于形成电子发射源的组合物,其中由式(1)、式(2)和式(3)表示的硅基材料的重均分子量各自为100-100000。

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