[发明专利]晶体管及半导体装置的制作方法有效
| 申请号： | 200710129200.7 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101159232A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 姚亮吉;陶宏远;陈世昌;梁孟松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管及半导体装置的制作方法。上述半导体装置的制作方法，包括形成第一栅极堆叠层，其包含第一及第二含硅层，且具有介于该第一及第二含硅层之间的第一蚀刻停止层，其中该第一含硅层的高度至少为该第一栅极堆叠层高度的1/3。上述半导体装置的制作方法，还包括移除该第二含硅层及该第一蚀刻停止层；以及进行反应该第一含硅层与第一金属的步骤，以硅化该第一含硅层。因此，可形成具有不同栅极高度的全硅化物栅极。较薄的第一含硅层可提供在硅化时较低的热预算，以及在全硅化物栅极中较佳的硅化浓度的均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制作方法，包括：形成第一栅极堆叠层，其包含第一及第二含硅层，且具有介于所述第一及第二含硅层之间的第一蚀刻停止层，其中所述第一含硅层的高度至少为所述第一栅极堆叠层高度的1/3；移除所述第二含硅层及所述第一蚀刻停止层；以及进行反应所述第一含硅层与第一金属的步骤，以硅化所述第一含硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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