[发明专利]制造动态随机存取存储器的方法

摘要

本发明的目的是提供一种制造动态随机存取存储器的方法，该存储器即使具有大存储密度也能减少缺陷率。本发明的方法用于制造具有设置在半导体衬底上的存储器阵列区域和外围电路区域的动态随机存取存储器的方法，氮化硅膜覆盖在存储器阵列区域和外围电路区域的上面，该方法具有至少用于去除提供在外围电路区域中的氮化硅的步骤(1)；以及用于在氢气环境中处理步骤(1)获得的待处理衬底的步骤(2)。

主权项

1.一种制造动态随机存取存储器的方法，该存储器包括一半导体衬底，设置在半导体衬底上的存储器阵列区域，和设置于半导体衬底上的每个存储器阵列区域周围的外围电路区域，每个存储器阵列区域具有存储单元，该存储单元包括绝缘膜栅型场效应晶体管、单元接触器和电容器，所述外围电路区域具有绝缘膜栅型场效应晶体管和导电电路，用于控制存储单元，存储器阵列区域和外围电路区域具有氮化硅膜，该方法至少包括：步骤(1)，去除提供在外围电路区域中的氮化硅膜；以及步骤(2)，在氢气环境中处理步骤(1)获得的待处理衬底。