[发明专利]制造动态随机存取存储器的方法有效

专利信息
申请号: 200710128825.1 申请日: 2007-01-15
公开(公告)号: CN101170081A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 池渊义德 申请(专利权)人: 尔必达存储器股份有限公司
主分类号: H01L21/8242 分类号: H01L21/8242
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王波波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 制造 动态 随机存取存储器 方法
【权利要求书】:

1.一种制造动态随机存取存储器的方法,该存储器包括一半导体衬底,设置在半导体衬底上的存储器阵列区域,和设置于半导体衬底上的每个存储器阵列区域周围的外围电路区域,每个存储器阵列区域具有存储单元,该存储单元包括绝缘膜栅型场效应晶体管、单元接触器和电容器,所述外围电路区域具有绝缘膜栅型场效应晶体管和导电电路,用于控制存储单元,存储器阵列区域和外围电路区域具有氮化硅膜,

该方法至少包括:

步骤(1),去除提供在外围电路区域中的氮化硅膜;以及

步骤(2),在氢气环境中处理步骤(1)获得的待处理衬底。

2.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(1)是,从提供于存储器阵列区域和外围电路区域之上氮化硅膜中,部分地或全部地去除设置在存储器阵列区域周围的外围电路区域的、、和位于绝缘薄膜栅型场效应晶体管之外的氮化硅膜。

3.根据权利要求2所述的方法,其中存储器阵列区域的每一个均是盒形,并且存储器阵列区域以给定间隔设置,从而整体上形成半导体衬底上的盒形存储块区域之一,

盒形存储器块区域以给定间隔设置,从而整体上形成半导体衬底上的盒形存储器片区域,以及

外围电路区域设置在两个存储器阵列区域之间和两个存储块区域之间,

步骤(1)包括去除存储器阵列区域之间的外围电路区域上的氮化硅膜。

4.根据权利要求3所述的方法,进一步包括步骤(3),去除提供在存储器阵列区域上的氮化硅膜。

5.根据权利要求4所述的方法,其中包含在存储单元中的绝缘膜栅型场效应晶体管具有凹进结构。

6.根据权利要求4所述的方法,其中在步骤(2)的氢气环境中的处理在从380到470℃的温度下实施,包括两个边界值的温度,持续半小时到12小时的时间。

7.根据权利要求4所述的方法,进一步包括步骤(4),降低温度到300℃或者更低。

8.一种根据权利要求1所述方法获得的动态随机存取存储器。

9.一种根据权利要求2所述方法获得的动态随机存取存储器。

10.一种根据权利要求3所述方法获得的动态随机存取存储器。

11.一种根据权利要求4所述方法获得的动态随机存取存储器。

12.一种根据权利要求5所述方法获得的动态随机存取存储器。

13.一种根据权利要求6所述方法获得的动态随机存取存储器。

14.一种根据权利要求7所述方法获得的动态随机存取存储器。

15.一种配置有根据权利要求8所述的动态随机存取存储器的电子装置。

16.一种配置有根据权利要求9所述的动态随机存取存储器的电子装置。

17.一种配置有根据权利要求10所述的动态随机存取存储器的电子装置。

18.一种配置有根据权利要求11所述的动态随机存取存储器的电子装置。

19.一种配置有根据权利要求12所述的动态随机存取存储器的电子装置。

20.一种配置有根据权利要求13所述的动态随机存取存储器的电子装置。

21.一种配置有根据权利要求14所述的动态随机存取存储器的电子装置。

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