[发明专利]静电破坏保护电路

摘要

一种静电破坏保护电路，提高保护内部电路不受静电等浪涌电压影响的性能(动作速度或静电破坏耐性)。在配线(3)和VSS(接地电压)配线(4)之间连接N沟道型MOS晶体管(5)。在配线(3)和MOS晶体管(5)的栅极之间连接第一电容器(6)，在VSS配线(4)和栅极之间连接第二电容器(7)。施加在输入输出端子(2)上的电压由这些电容元件分压，将该分压电压对栅极施加。在浪涌产生时，通过分压电压将MOS晶体管(5)强制接通，流过电流，保护内部电路(1)。另外，相对于过大的浪涌，寄生双极晶体管接通。在双极和VSS配线(4)之间配置齐纳二极管(8)，以使施加在栅极上的电压不会上升到一定电压以上。

主权项

1.一种静电破坏保护电路，其与连接端子和内部电路的第一配线连接，其特征在于，具有：供给第一电压的第二配线；连接在所述第一配线和所述第二配线之间，通过所述端子将施加在所述第一配线上的电压分压的第一及第二电容元件；漏极与所述第一配线连接，源极与所述第二配线连接，在栅极上施加通过所述第一及第二电容元件分压后的电压的MOS晶体管。