[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710128255.6 | 申请日： | 2007-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101083295A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 井口缘;渡边信幸;村上哲朗;智者多永子 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光元件，其包括：第一导电类型的半导体层；在所述第一导电类型的半导体层上的发光层；在所述发光层上的第二导电类型的半导体层；以及在所述第二导电类型的半导体层上的透光性半导体层。透光性半导体层透过来自发光层的光。所述第二导电类型的半导体层与所述透光性半导体层具有不同的载流子浓度，所述第二导电类型的半导体层的载流子浓度大于所述透光性半导体层的载流子浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体层；在所述第一导电类型的半导体层上形成的发光层；在所述发光层上形成的第二导电类型的半导体层；以及在所述第二导电类型的半导体层上形成的、透过来自所述发光层的光的透光性半导体层，所述第二导电类型的半导体层与所述透光性半导体层具有不同的载流子浓度，所述第二导电类型的半导体层的载流子浓度大于所述透光性半导体层的载流子浓度。
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