[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：

第一导电类型的半导体层；

在所述第一导电类型的半导体层上形成的发光层；

在所述发光层上形成的第二导电类型的半导体层；

在所述第二导电类型的半导体层上形成的、透过来自所述发光层的光的 透光性半导体层；以及

在所述透光性半导体层上形成的、透过来自所述发光层的光的透光性半 导体基板，

所述第二导电类型的半导体层与所述透光性半导体层具有不同的载流 子浓度，所述第二导电类型的半导体层的载流子浓度大于所述透光性半导体 层的载流子浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述透光性半导体层的载流子浓度在2.5×10¹⁸cm^-3以下。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述透光性半导体层的载流子浓度在2.5×10¹⁷cm^-3～8.0×10¹⁷cm^-3的范围 内。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

具有在所述发光层与所述第二导电类型的半导体层之间形成的第二导 电类型的中间层，所述第二导电类型的半导体层的载流子浓度比所述第二导 电类型的中间层的载流子浓度大。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述透光性半导体层的厚度在0.5μm以上。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述透光性半导体层和所述透光性半导体基板之中的至少一个由第一 导电类型的半导体构成。

7.根据权利要求1的半导体发光元件，其特征在于，

所述第一导电类型的半导体层、所述发光层和所述第二导电类型的半导 体层，分别包含镓、铝、铟、磷、砷、锌、碲、硫、氮、硅、碳、氧之中的 至少两种。

8.根据权利要求1的半导体发光元件，其特征在于，

所述透光性半导体层的厚度在70μm以上。

9.根据权利要求1的半导体发光元件，其特征在于，

所述透光性半导体层的导电类型与所述透光性半导体基板的导电类型 不同。

10.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在第一导电类型的半导体基板上，至少层积第一导电类型的半导体层、 发光层和第二导电类型的半导体层，制作第一晶片；

在透过来自所述发光层的光的透光性半导体基板上，层积透光性半导体 层，制作第二晶片，该透光性半导体层的载流子浓度比所述第二导电类型的 半导体层小，并能透过来自所述发光层的光；

把所述第二晶片装载在所述第一晶片上，使得所述透光性半导体层与所 述第二导电类型的半导体层对置，对所述第二晶片加压，压向所述第一晶片， 对所述第一、第二晶片加热，由此使所述第二晶片与所述第一晶片接合；

去除所述第一导电类型的半导体基板。

11.根据权利要求10的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，还 包括以下工序：

所述第二晶片与所述第一晶片接合之后，去除所述透光性半导体基板。

12.根据权利要求10的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

在制作所述第二晶片的工序中，采用液相外延方法或CVD法制作所述 透光性半导体层。