[发明专利]具有举升的源极区与漏极区的非易失性存储器

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器。该非易失性存储器具有变化沟道区界面，例如举升的源极与漏极或凹入沟道区。

主权项

1.一种非易失性存储器单元集成电路，包含：电荷储存结构，用以储存电荷以控制由该非易失性存储器单元集成电路储存的逻辑状态；源极区与漏极区，以沟道区分离；以及一个或多个介电结构，至少部分位于该电荷储存结构与该沟道区之间，且至少部分位于该电荷储存结构与栅极电压源之间，其中：界面分离该一个或多个介电结构的一部分与该沟道区，该界面的第一端结束于该源极区的中间部分，且该界面的第二端结束于该漏极区的中间部分；其中该源极与漏极区被举升离开该非易失性存储器单元集成电路的基板，使得该界面的该第一端结束于该源极区的中间部分，且该界面的该第二端结束于该漏极区的中间部分。