[发明专利]面发光型半导体激光器无效
| 申请号： | 200710127598.0 | 申请日： | 2007-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101102034A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 望月理光 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可以减少激光的振荡模数、并与单纯地减小电流狭窄层的直径的情况相比可实现高输出的面发光型半导体激光器。本发明涉及的面发光型半导体激光器(100)包括：下部反射镜(10)；活性层(103)，形成在下部反射镜(10)的上面；以及上部反射镜(20)，形成在活性层的上面。上部反射镜包括形成有多个空穴(60)的第一区域(70)、以及位于第一区域(70)内侧且未形成有空穴的第二区域(72)，第二区域俯视时为圆形，圆形具有如下半径：如果是在低阶共振模成分，活性层的能量增加率则为正，如果是高阶共振模成分，活性层的能量增加率则为负；空穴具有如下深度：如果是低阶共振模成分，能量增加率则为正，如果是高阶共振模成分，能量增加率为负。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种面发光型半导体激光器，包括：下部反射镜；活性层，形成在所述下部反射镜的上面；以及上部反射镜，形成在所述活性层的上面，其中，所述上部反射镜包括形成有多个空穴的第一区域、以及位于所述第一区域内侧且未形成有空穴的第二区域，所述第二区域俯视时为圆形，所述圆形具有如下半径：如果是低阶共振模成分，所述活性层的能量增加率则为正，如果是高阶共振模成分，所述活性层的能量增加率则为负，所述空穴具有如下深度：如果是所述低阶共振模成分，所述能量增加率则为正，如果是所述高阶共振模成分，所述能量增加率则为负。
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