[发明专利]面发光型半导体激光器无效
| 申请号： | 200710127598.0 | 申请日： | 2007-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101102034A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 望月理光 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 半导体激光器 | ||
1.一种面发光型半导体激光器，包括：
下部反射镜；
活性层，形成在所述下部反射镜的上面；以及上部反射镜，形成在所述活性层的上面，
其中，所述上部反射镜包括形成有多个空穴的第一区域、以及位于所述第一区域内侧且未形成有空穴的第二区域，
所述第二区域俯视时为圆形，
所述圆形具有如下半径：如果是低阶共振模成分，所述活性层的能量增加率则为正，如果是高阶共振模成分，所述活性层的能量增加率则为负，
所述空穴具有如下深度：如果是所述低阶共振模成分，所述能量增加率则为正，如果是所述高阶共振模成分，所述能量增加率则为负。
2.一种面发光型半导体激光器，包括：
下部反射镜；
活性层，形成在所述下部反射镜的上面；以及
上部反射镜，形成在所述活性层的上面，
其中，所述上部反射镜包括形成有多个空穴的第一区域、以及位于所述第一区域内侧且未形成有空穴的第二区域，
所述第二区域俯视时为圆形，
所述圆形具有如下半径：对于所述活性层的能量增加率，低阶共振模成分和高阶的共振模成分的能量增加率之差大于不存在所述空穴时的所述能量增加率之差。
所述空穴具有如下深度：所述能量增加率之差大于不存在所述空穴时的所述能量增加率之差。
3.根据权利要求2所述的面发光型半导体激光器，其中，所述圆形具有所述能量增加率之差为最大的半径，所述空穴具有所述能量增加率之差为最大的深度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的面发光型半导体激光器，
其中，
所述低阶共振模成分是0阶的共振模成分，
所述高阶共振模成分是一阶以上的共振模成分。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的面发光型半导体激光器，其中，
所述活性层的能量增加率通过时域差分法求得。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的面发光型半导体激光器，
其中，
所述活性层的能量增加率通过二维时域差分法求得。
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