[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 200710126879.4 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101097865A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 西村荣一;八田浩一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够选择性地除去氮化膜的基板处理方法。在具有由SiO2构成的热氧化膜(51)和由SiN膜构成的氮化硅膜(52)的晶片(W)中，使将氧气等离子体化后的氧等离子体与氮化硅膜(52)接触，使氮化硅膜(52)变化为一氧化硅膜(54)，向该一氧化硅膜(54)供给HF气体，利用由HF气体生成的氢氟酸选择性地蚀刻一氧化硅膜(54)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，对具有通过热氧化处理形成的热氧化膜和氮化膜的基板进行处理，其特征在于，包括：氧等离子体接触步骤，使含有氧的等离子体与所述基板接触；和HF气体供给步骤，向与所述含有氧的等离子体接触后的所述基板供给HF气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
