[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 200710126879.4 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101097865A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 西村荣一;八田浩一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法，对具有通过热氧化处理形成的热氧化膜和氮化膜的基板进行处理，其特征在于，包括：
氧等离子体接触步骤，使含有氧的等离子体与所述基板接触；
选择性氧化步骤，选择性地氧化所述氮化膜的平坦部，形成一氧化硅膜；
HF气体供给步骤，向与所述含有氧的等离子体接触后的所述基板供给HF气体；和
蚀刻步骤，利用该HF气体，相对于所述热氧化膜而有选择地蚀刻所述一氧化硅膜。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
所述基板具有在所述热氧化膜上突出的凸状的导电部，所述氮化膜覆盖所述导电部的侧面和顶面，
在所述氧等离子体接触步骤中，所述含有氧的等离子体中的活性种大致平行于所述侧面进行移动，与所述氮化膜接触。
3.如权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于：
所述活性种至少含有阳离子。
4.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
所述基板具有在所述热氧化膜上从该基板表面垂直突出的凸状的导电部，所述氮化膜覆盖所述导电部的侧面和顶面，
在所述氧等离子体接触步骤中，所述含有氧的等离子体中的活性种大致垂直于所述基板表面进行移动，与所述氮化膜接触。
5.一种基板处理装置，对具有通过热氧化处理形成的热氧化膜和氮化膜的基板进行处理，其特征在于，包括：
氧等离子体接触装置，使含有氧的等离子体与所述基板接触，选择性地氧化所述氮化膜的平坦部，形成一氧化硅膜；
HF气体供给装置，向与所述含有氧的等离子体接触后的所述基板供给HF气体；和
蚀刻装置，利用所述HF气体，相对于所述热氧化膜而有选择地蚀刻所述一氧化硅膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
