[发明专利]半导体存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710123041.X | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101197395A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 朴景焕;崔殷硕;金世峻;刘泫昇 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件，其包括在其中形成结的半导体衬底，以及顺序堆叠在所述半导体衬底上方的隧道绝缘层、电荷储存层、阻挡层和栅极电极图案。所述阻挡层具有阻挡绝缘层被高介电层包围的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，其包含：半导体衬底，在其中形成有掺杂结；形成在所述半导体衬底上方的隧道绝缘层；形成在所述隧道绝缘层上方的电荷储存层；形成在所述电荷储存层上方的阻挡层，所述阻挡层包括阻挡绝缘层图案和形成在所述阻挡绝缘层图案周围的高介电层图案；和形成在所述阻挡层上方的栅极电极图案。
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