[发明专利]FFS型TFT－LCD阵列基板结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710120731.X | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101373301A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 吕敬;崔承镇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种FFS型TFT－LCD阵列基板结构及其制造方法，阵列基板结构包括玻璃基板，形成在玻璃基板上的栅电极、栅线、公共电极线和透明电极，形成在玻璃基板上的栅绝缘层，依次形成在玻璃基板上并位于栅电极之上的有源层和源漏电极层，形成在玻璃基板上的钝化层，钝化层上形成过孔并开设有对栅线和公共电极线起阻断作用的阻断沟道，形成在钝化层上并通过过孔与源漏电极层中的漏电极连接的像素电极。本发明通过在阵列基板结构中增加阻断沟道，可以有效地修复因栅线残留和公共电极残留造成的不良。本发明在掩模板设计过程中引入了修复理念，对于栅线残留和公共电极残留等不良的修复有很好的效果。 | ||
| 搜索关键词： | ffs tft lcd 阵列 板结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，包括：玻璃基板；栅电极、栅线、公共电极线和透明电极，分别形成在所述玻璃基板上；栅绝缘层，形成在所述玻璃基板上并覆盖所述栅电极、栅线、公共电极线和透明电极；有源层，形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅电极之上；源漏电极层，形成在所述有源层上；钝化层，形成在所述玻璃基板上，其上形成过孔并开设有对栅线和公共电极线起阻断作用的阻断沟道；像素电极，形成在所述钝化层上，通过过孔与源漏电极层中的漏电极连接。
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