[发明专利]FFS型TFT－LCD阵列基板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，包括：

玻璃基板；

栅电极、栅线、公共电极线和透明电极，分别形成在所述玻璃基板上；

栅绝缘层，形成在所述玻璃基板上并覆盖所述栅电极、栅线、公共电极线和透明电极；

有源层，形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅电极之上；

源漏电极层，形成在所述有源层上；

钝化层，形成在整个玻璃基板上，其上形成过孔并开设有对栅线和公共电极线起阻断作用的阻断沟道；

像素电极，形成在所述钝化层上，通过过孔与源漏电极层中的漏电极连接。

2.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述阻断沟道开设在所述栅线和公共电极线之间。

3.根据权利要求1或2所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述阻断沟道的宽度大于3μm。

4.根据权利要求3所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述阻断沟道的宽度大于4μm。

5.一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在玻璃基板上形成透明电极，并沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成栅电极、栅线和公共电极线；

步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上连续沉积栅绝缘层、a-Si非晶硅薄膜和n⁺a-Si非晶硅薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，在所述栅电极上形成岛状有源层；

步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成源漏电极层，同时刻蚀掉暴露的n⁺a-Si非晶硅薄膜；

步骤4、在完成步骤3的整个玻璃基板上沉积钝化层，并在形成过孔的同时形成对栅线和公共电极线起阻断作用的阻断沟道；

步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上形成像素电极，像素电极通过过孔与源漏电极层中的漏电极连接。

6.根据权利要求5所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述阻断沟道形成在所述栅线和公共电极线之间。

7.根据权利要求5或6所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述阻断沟道的宽度大于3μm。

8.根据权利要求7所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述阻断沟道的宽度大于4μm。