[发明专利]高均匀性（In）GaAsP/(AlGa)0.5In0.5P外延片的生长方法

摘要

一种获得高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)_0.5In_0.5P外延片的生长方法，包括：将衬底放入低压金属有机化学气相沉积系统的反应室中，外延生长前将反应室升温、降压；分别以III族金属有机源和V族氢化物源为先驱源，在载气带动下进入反应室，在衬底上依次生长缓冲层、下包层和下波导层；将氢化物磷源切换为有机磷源，其他先驱源不变，在载气带动下进入反应室，以低V/III比在下波导层上生长有源层；将有机磷源切换回氢化物磷源，在有源层上依次生长上波导层、上包层和欧姆接触层；关闭载气和所有先驱源，向反应室充入氮气，升压；将外延片在反应室中进行退火；将外延片从反应室中取出，完成外延片的制作。

主权项

1、一种获得高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)0.5In0.5P外延片的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：将衬底放入低压金属有机化学气相沉积系统的反应室中，外延生长前将反应室升温、降压；步骤3：分别以III族金属有机源和V族氢化物源为先驱源，在载气带动下进入反应室，在衬底上依次生长缓冲层、下包层和下波导层；步骤4：保持反应室温度不变，将氢化物磷源切换为有机磷源，其他先驱源不变，在载气带动下进入反应室，以低V/III比在下波导层上生长有源层；步骤5：将有机磷源切换回氢化物磷源，在有源层上依次生长上波导层、上包层和欧姆接触层；步骤6：关闭载气和所有先驱源，向反应室充入氮气，升压；步骤7：将反应室降温，外延片在反应室中进行退火；步骤8：将外延片从反应室中取出，完成外延片的制作。