[发明专利]高均匀性（In）GaAsP/(AlGa)0.5In0.5P外延片的生长方法

权利要求书

1、一种获得高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)_0.5In_0.5P外延片的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：取一衬底；

步骤2：将衬底放入低压金属有机化学气相沉积系统的反应室中，外延生长前将反应室升温、降压；

步骤3：分别以III族金属有机源和V族氢化物源为先驱源，在载气带动下进入反应室，在衬底上依次生长缓冲层、下包层和下波导层；

步骤4：保持反应室温度不变，将氢化物磷源切换为有机磷源，其他先驱源不变，在载气带动下进入反应室，以低V/III比在下波导层上生长有源层；

步骤5：将有机磷源切换回氢化物磷源，在有源层上依次生长上波导层、上包层和欧姆接触层；

步骤6：关闭载气和所有先驱源，向反应室充入氮气，升压；

步骤7：将反应室降温，外延片在反应室中进行退火；

步骤8：将外延片从反应室中取出，完成外延片的制作。

2、根据权利要求1所述的高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)_0.5In_0.5P外延片的生长方法，其特征在于，其所述的衬底为(100)偏<111>A15°的高偏角N型镓砷衬底。

3、根据权利要求1所述的高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)_0.5In_0.5P外延片的生长方法，其特征在于，其中所述的采用低压金属有机化学气相沉积系统中的反应室，为低压反应室，外延生长前将其压力降低到6～10kPa。

4、根据权利要求1所述的高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)_0.5In_0.5P外延片的生长方法，其特征在于，其所述的外延生长前将反应室升温，温度升高到700℃～740℃，以消除间断生长中温度变化对外延层的晶格质量和表面形貌的影响。

5、根据权利要求1所述的高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)_0.5In_0.5P外延片的生长方法，其特征在于，其所述的缓冲层为N型镓铟磷或N型低铝组分的铝镓砷。

6、根据权利要求1所述的高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)_0.5In_0.5P外延片的生长方法，其特征在于，其所述的下包层的材料为N型铝镓铟磷或N型铝镓砷。

7、根据权利要求1所述的高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)_0.5In_0.5P外延片的生长方法，其特征在于，其所述的下波导层为非故意掺杂的镓铟磷。

8、根据权利要求1所述的高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)_0.5In_0.5P外延片的生长方法，其特征在于，其所述的有源层为非故意掺杂的(铟)镓砷磷。

9、根据权利要求1所述的高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)_0.5In_0.5P外延片的生长方法，其特征在于，其所述的上波导层为非故意掺杂的镓铟磷。

10、根据权利要求1所述的高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)_0.5In_0.5P外延片的生长方法，其特征在于，其所述的上包层为P型铝镓铟磷或P型铝镓砷。

11、根据权利要求1所述的高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)_0.5In_0.5P外延片的生长方法，其特征在于，其所述的欧姆接触层为P型重掺杂的镓砷。

12、根据权利要求1所述的高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)_0.5In_0.5P外延片的生长方法，其特征在于，其所述的载气为氢气，气体总流量为50～60L/min。