[发明专利]一种等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200710119339.3 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101351075A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 刘文革;李玉玲 | 申请（专利权）人： | 李玉玲;刘文革 |
| 主分类号： | H05H1/34 | 分类号： | H05H1/34;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 25260*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置，包括用于放电产生等离子体的电极，所述电极包括电极本体(104)和覆盖在所述电极本体(104)表面的绝缘介质层(101)，其特征在于，所述电极本体和所述绝缘介质(101)之间还设有导电填充层(103)；本发明的电极本体和绝缘介质层中间设有导电填充层，可以填充两者之间的缝隙，尤其是使用导电粉末时，由于导电粉末的存在，使得电极放电在空间的分布更加均匀，颗粒目数越大，会越好的填充电极本体和绝缘介质层中间的缝隙，放电的均匀性越好，对材料的表面进行处理就可以得到更均匀的处理效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，包括用于放电产生等离子体的电极，所述电极包括电极本体(104)和覆盖在所述电极本体(104)表面的绝缘介质层(101)，其特征在于，所述电极本体和所述绝缘介质(101)之间还设有导电填充层(103)。
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