[发明专利]一种GaN基自旋发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 200710119158.0 | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101350385A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 张国义;杨学林;陈志涛;于彤军;杨志坚 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN基自旋发光二极管(Spin－LED)，具有如下结构：在导电衬底之上依次是P型欧姆接触电极、P型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、N型GaN层、掺杂过渡金属元素的ITO磁性层、N型欧姆接触电极。该GaN基Spin－LED是将ITO基磁性材料作为自旋注入源和现有GaN基LED照明技术结合起来制备的，相对于目前提出的GaMnN基Spin－LED的多项生长技术结合的繁琐制备程序，该方法将磁性层改在透明电极部分，制备方法简单易行，可灵活快捷地得到各种新型自旋发光二极管，并能有效地进行自旋注入效率的探测，同时还可望用于研制和设计其他各种自旋电子学器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 自旋 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基自旋发光二极管，具有如下结构：在导电衬底之上依次是P型欧姆接触电极、P型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、N型GaN层、掺杂过渡金属元素的氧化铟锡磁性层、N型欧姆接触电极。
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