[发明专利]基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管及制备方法

摘要

本发明涉及基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管及其制备方法，即在p型硅衬底的一面上蒸镀导电电极形成欧姆接触，并与硅衬底一起作为栅极，然后将无机介电绝缘材料蒸镀到p型硅衬底的另一面上，再将导电源极蒸镀到无机介电绝缘层上，再蒸镀并五苯有机功能层，最后蒸镀透明导电漏极从而完成场效应光电晶体管器件的制备。该有机场效应光电晶体管由于使用了垂直结构，制作工艺简单，无需光刻等复杂工艺。沟道长度可以作得很薄因而可大大提高场效应光电晶体管器件的“开/关”电流比。有机材料选用并五苯，有利于光的吸收，易得到高性能的场效应光电晶体管。

主权项

1.一种基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管，其特征在于其采用垂直构型的器件结构，即：在导电电极(1)作为栅极的p型硅(2)之上，有无机介电绝缘层(3)和并五苯有机功能层(5)；在无机介电绝缘层(3)与并五苯有机功能层(5)之间，有导电电极(4)作为源极；在并五苯有机功能层(5)上有透明导电电极(6)作为漏极。