[发明专利]基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管及制备方法

权利要求书

1.一种基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管，其特征在于其采用垂直构型的器件结构，即：

在导电电极(1)作为栅极的p型硅(2)之上，有无机介电绝缘层(3)和并五苯有机功能层(5)；

在无机介电绝缘层(3)与并五苯有机功能层(5)之间，有导电电极(4)作为源极；

在并五苯有机功能层(5)上有透明导电电极(6)作为漏极。

2.一种基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于其制备方法有如下步骤：

(a)首先清洗p型硅片，在粗糙面蒸镀导电电极(1)并与硅片(2)一起作为场效应光电晶体管的栅极；

(b)然后，将无机介电绝缘层材料(3)蒸镀到清洗好的p型硅衬底(2)上；

(c)之后，将导电电极材料(4)蒸镀到无机介电绝缘层(3)上，形成一定厚度的导电层作为源极；

(d)然后，在源极上蒸镀并五苯有机功能薄膜层(5)；

(e)最后，将透明导电电极材料(6)蒸镀到并五苯有机功能薄膜层上作为漏极，从而完成整个场效应光电晶体管器件的制备。

3.根据权利要求2所述的基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于在步骤(b)中，是通过电子束蒸发或磁控溅射的方法，将无机介电绝缘层材料(3)蒸镀到清洗好的p型硅衬底(2)上；有些无机绝缘材料也可通过分子束外延和激光脉冲沉积等方法成膜。

4.根据权利要求2所述的基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于在步骤(c)中，是利用热蒸发等方法并通过掩模板将导电电极材料(4)蒸镀到无机介电绝缘层(3)上，形成一定厚度的导电层作为源极。

5.根据权利要求2所述的基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于在步骤(d)中，是用热蒸发等方法在源极上蒸镀并五苯有机功能薄膜层(5)。

6.根据权利要求2所述的基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管的制备方法，其特征在于在步骤(e)中，用于入射光的漏极(6)，必须是透明及半透明导电电极。