[发明专利]一种新的二次电缆屏蔽层接地方式有效
| 申请号： | 200710117747.5 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101115380A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 黄少锋;秦晓辉;刘建飞 | 申请（专利权）人： | 北京四方继保自动化股份有限公司;华北电力大学 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;H01B9/02;H01R4/00;H02H7/00 |
| 代理公司： | 北京华进专利事务所 | 代理人： | 吴鸿维 |
| 地址： | 100085北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及电力系统领域中微机型继电保护装置和自动控制装置抗干扰的方法，提出了一种区别于传统单端接地或两端接地的新型二次电缆屏蔽层接地方法，即在开关场的一端经适当电阻R接地，位于控制室的另一端直接接地。该方法首先估算出流过二次电缆屏蔽层的实际电流Id，然后将在开关场一侧的接地电阻R选取为：R＝((Id/kIb)－1)RS其中，Ib为烧毁电缆屏蔽层的临界电流，Rs为电缆屏蔽层的等效电阻，k为可靠系数，一般可选为0.8。在超高压/特高压变电站中，采用这种新的二次电缆屏蔽层接地方法，既具有两端直接接地时良好的抗干扰效果，也避免了当地电流和干扰过大时烧毁屏蔽层的危险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二次 电缆 屏蔽 接地 方式 | ||
【主权项】：
1.一种新的二次电缆屏蔽层接地方法，该方法包括：在开关场的一端经适当电阻R接地，在位于控制室的另一端直接接地，其特征在于：首先估算出流过二次电缆屏蔽层的实际电流Id，然后将在开关场一侧的接地电阻R选取为：R = ( I d kI b - 1 ) R s
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