[发明专利]一种新的二次电缆屏蔽层接地方式

权利要求书

1.一种新的二次电缆屏蔽层接地方法，该方法包括：

在开关场的一端经适当电阻R接地，在位于控制室的另一端直接接地，其特征在于：

首先估算出流过二次电缆屏蔽层的实际电流I_d，然后将在开关场一侧的接地电阻R选取为：

$R=(\frac{I_d}{{\mathrm{kI}}_b}-1)R_s$

其中，I_b为烧毁电缆屏蔽层的临界电流，Rs为电缆屏蔽层的等效电阻，k为可靠系数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中流过二次电缆屏蔽层的实际电流I_d＝实际电缆长度/试验电缆长度*测试点测出的试验电流。

3.根据权利要求1所述的方法，其中流过二次电缆屏蔽层的实际电流I_d＝实际电缆长度/试验电缆长度*相应电压等级下的参考试验电流值。

4.根据权利要求1所述的方法，其中把屏蔽层一端的接地电阻R接在开关场处离一次设备接地点3至5米处。

5.根据权利要求1所述的方法，其中接地电阻R进一步选取为与电缆屏蔽层的等效电阻Rs相等。

6.根据权利要求1所述的方法，其中可靠系数k为0.8。