[发明专利]鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 200710111248.5 | 申请日： | 2007-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101079450A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 吴大可;周发龙;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于SOI衬底，沿沟道垂直方向，沟道的截面为长方形的鳍型Fin，形成鳍型沟道；鳍型沟道的一侧为栅氧和前栅，另一侧为隧穿氧化层、作为电荷存储层的氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和背栅，形成双栅结构；鳍型沟道的两端连接共同的n+源和n+漏，前栅和背栅自对准、对n+源和n+漏的覆盖很小；器件基于SOI衬底实现，沟道区，源区和漏区都位于绝缘层上。本发明具有高性能MOSFET逻辑器件的功能，快闪存储器的功能，无电容式DRAM的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 多功能 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管，其特征在于：该场效应晶体管基于SOI衬底，其沟道区、源区和漏区都位于绝缘层上，沿沟道垂直方向，沟道的截面为长方形的鳍型Fin，形成鳍型沟道，鳍型沟道的两端连接n+源和n+漏，鳍型沟道的一侧为栅氧和前栅，另一侧为隧穿氧化层、作为电荷存储层的氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和背栅，形成双栅结构；前栅和背栅自对准。
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