[发明专利]鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1、一种制备鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在SOI衬底上，热氧化二氧化硅，再淀积氮化硅；

2)有源区掩模光刻，刻蚀氮化硅、二氧化硅和硅，形成鳍型沟道；

3)热氧化隧穿氧化层，淀积氮化硅陷阱层，淀积二氧化硅作为阻挡氧化层的初始层；

4)氩离子倾角注入轰击前栅一侧的阻挡氧化层初始层；

5)腐蚀阻挡氧化层初始层，腐蚀氮化硅陷阱层，腐蚀隧穿氧化层，使前栅一侧的硅表面露出，将背栅一侧剩余的阻挡氧化层初始层作为阻挡氧化层，形成背栅ONO堆栈结构；

6)热氧化前栅氧化层；

7)淀积或溅射栅材料，栅区掩模光刻，杂质注入，形成n+源和漏；退火激活杂质；

8)平坦化，形成自对准的独立的前栅和背栅。

2、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤1)中，所选用的SOI衬底顶层硅膜厚度为50-100nm，其厚度决定了鳍型沟道的高度H。

3、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤3)中，热氧化隧穿氧化层2-4nm，淀积氮化硅陷阱层4-7nm，然后淀积二氧化硅作为阻挡氧化层的初始层20-30nm。

4、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤4)中，氩离子注入角度与垂直方向呈60°—40°。

5、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤5)中，阻挡氧化层的厚度为4-6nm。