[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710110130.0 申请日: 2007-06-18
公开(公告)号: CN101101909A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 秋叶俊彦;内藤孝洋 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种包含微计算机芯片和多个高速存储芯片、而且能够使存储芯片的布线长度相等的半导体器件。半导体器件包括第一布线衬底、安装在第一布线衬底上的微计算机芯片、设置在微计算机芯片上的第二布线衬底、用于将第一和第二布线衬底相互连接的多个第一焊料凸起、和作为形成于布线衬底背表面上的外部端子的多个第二焊料凸起。作为高速存储芯片的第一存储芯片和第二存储芯片层积在第二布线衬底内,第一存储芯片的导线与第二存储芯片的导线的长度在第二布线衬底内相等,具有第二布线衬底的完整封装结构安装在具有第一布线衬底的完整封装结构上。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第一背表面的第一布线衬底;安装在所述第一布线衬底的所述第一主表面上的微计算机芯片;具有第二主表面和与所述第二主表面相对的第二背表面的第二布线衬底,所述第二布线衬底设置在所述微计算机芯片上;用于将第一布线衬底和第二布线衬底相互电连接的多个第一凸起电极;和设置在所述第一布线衬底的所述第一背表面上的多个第二凸起电极,其中,所述第二布线衬底包括第一和第二存储芯片,所述第二存储芯片设置在所述第一存储芯片上,所述第一和第二存储芯片与外部时钟信号的前边沿与后边沿同步地传输数据。
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