[发明专利]像素阵列无效
| 申请号: | 200710109288.6 | 申请日: | 2007-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN101315937A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
| 发明(设计)人: | 叶锦龙;马竣人;王裕芳 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/417;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 左一平 |
| 地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种像素阵列,其是由多组像素所构成,每一组像素是由一扫描线与一第一及第二数据线所驱动。每一组像素包括一第一像素单元与一第二像素单元。第一像素单元包括一第一栅极、一第一通道层、一第一源极、一第一L形漏极以及一第一像素电极。第二像素单元包括一第二栅极、一第二通道层、一第二源极、一第二L形漏极以及一第二像素电极。第一与第二栅极与扫描线电性连接,第一源极与第一数据线电性连接,且第二源极与第二数据线电性连接。特别是,第一L形漏极与第二L形漏极成镜向布局。因此,此像素阵列的栅极漏极寄生电容变动会互相消抵。 | ||
| 搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种像素阵列,其是由多组像素所构成,其中每一该些组像素是由一第一扫描线与一第二扫描线以及一数据线所驱动,每一该些组像素包括:一第一像素单元,其包括:一第一栅极,其与该第一扫描线电性连接;一第一通道层,位于该第一栅极上方;一第一源极,位于该第一通道层上方,且与该数据线电性连接;一第一L形漏极,位于该第一通道层上方;一第一像素电极,其与该第一L形漏极电性连接;一第二像素单元,其包括:一第二栅极,其与该第二扫描线电性连接;一第二通道层,位于该第二栅极上方;一第二源极,位于该第二通道层上方,且与该数据线电性连接;一第二L形漏极,位于该第二通道层上方,其中该第二L形漏极是该第一L形漏极水平翻转180度的形式;以及一第二像素电极,其与该第二L形漏极电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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