[发明专利]像素阵列无效

专利信息
申请号: 200710109288.6 申请日: 2007-05-29
公开(公告)号: CN101315937A 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 叶锦龙;马竣人;王裕芳 申请(专利权)人: 中华映管股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L29/417;G02F1/1362
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 左一平
地址: 台湾省台北*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 像素 阵列
【权利要求书】:

1.一种像素阵列,其是由多组像素所构成,其中每一该些组像素是由一第一扫描线与一第二扫描线以及一数据线所驱动,每一该些组像素包括:

一第一像素单元,其包括:

一第一栅极,其与该第一扫描线电性连接;

一第一通道层,位于该第一栅极上方;

一第一源极,位于该第一通道层上方,且与该数据线电性连接;

一第一L形漏极,位于该第一通道层上方;

一第一像素电极,其与该第一L形漏极电性连接;

一第二像素单元,其包括:

一第二栅极,其与该第二扫描线电性连接;

一第二通道层,位于该第二栅极上方;

一第二源极,位于该第二通道层上方,且与该数据线电性连接;

一第二L形漏极,位于该第二通道层上方,其中该第二L形漏极是

该第一L形漏极水平翻转180度的形式;以及

一第二像素电极,其与该第二L形漏极电性连接。

2.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,还包括:

一第一接触窗,位于该第一像素电极与该第一L形漏极之间,以使该第一像素电极与该第一L形漏极电性连接;以及

一第二接触窗,位于该第二像素电极与该第二L形漏极之间,以使该第二像素电极与该第二L形漏极电性连接。

3.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于:

在部分该第一L形漏极下方的该第一栅极中具有一第一开口;以及

在该部分第二L形漏极下方的该第二栅极中具有一第二开口。

4.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,还包括:

一第一电容电极,位于该第一像素电极下方;以及

一第二电容电极,位于该第二像素电极下方。

5.一种像素阵列,其是由多组像素所构成,其中每一该些组像素是由一第一扫描线以及一第一数据线与一第二数据线所驱动,每一该些组像素包括:

一第一像素单元,其包括:

一第一栅极,其与该第一扫描线电性连接;

一第一通道层,位于该第一栅极上方;

一第一源极,位于该第一通道层上方,且与该第一数据线电性连接;

一第一L形漏极,位于该第一通道层上方;

一第一像素电极,其与该第一L形漏极电性连接;

一第二像素单元,其包括:

一第二栅极,其与该第一扫描线电性连接;

一第二通道层,位于该第二栅极上方;

一第二源极,位于该第二通道层上方,且与该第二数据线电性连接;

一第二L形漏极,位于该第二通道层上方,其中该第二L形漏极与

该第一L形漏极是呈镜像排列;以及

一第二像素电极,其与该第二L形漏极电性连接。

6.如权利要求5所述的像素阵列,其特征在于,还包括:

一第一接触窗,位于该第一像素电极与该第一L形漏极之间,以使该第一像素电极与该第一L形漏极电性连接;以及

一第二接触窗,位于该第二像素电极与该第二L形漏极之间,以使该第二像素电极与该第二L形漏极电性连接。

7.如权利要求5所述的像素阵列,其特征在于:

在部分该第一L形漏极下方的该第一栅极中具有一第一开口;以及

在部分该第二L形漏极下方的该第二栅极中具有一第二开口。

8.如权利要求5所述的像素阵列,其特征在于,还包括:

一第一电容电极,位于该第一像素电极下方;以及

一第二电容电极,位于该第二像素电极下方。

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