[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710109090.8 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101090121A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 西山伸泰 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/522;H01L29/423;H01L21/027;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，具备：具有多个具有串联连接的电可改写的多个存储单元的存储单元单位的至少2个存储单元块；形成为大致矩形的闭环形状或大致U字型的开环形状、各环与相邻的2个存储单元块中的一方的存储单元块内的所述多个存储单元单位的规定的存储单元、和相邻的所述2个存储单元块中的另一方的存储单元块内的所述多个存储单元单位的规定的存储单元分别连接、选择所述2个存储单元块内的多个存储单元的多个单元栅；以及在所述存储单元块内形成于隔着所述多个单元栅的位置，用于选择所述存储单元块的多对第1、第2选择栅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：具有多个具有串联连接的电可改写的多个存储单元的存储单元单位的至少2个存储单元块；形成为大致矩形的闭环形状或大致U字型的开环形状、各环与相邻的2个存储单元块中的一方的存储单元块内的所述多个存储单元单位的规定的存储单元、和相邻的所述2个存储单元块中的另一方的存储单元块内的所述多个存储单元单位的规定的存储单元分别连接、选择所述2个存储单元块内的多个存储单元的多个单元栅；以及在所述存储单元块内形成于隔着所述多个单元栅的位置上，用于选择所述存储单元块的多对第1、第2选择栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
