[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：

具有多个具有串联连接的电可改写的多个存储单元的存储单元单位的至少2个存储单元块；

形成为大致矩形的闭环形状或大致U字型的开环形状、各环与相邻的2个存储单元块中的一方的存储单元块内的所述多个存储单元单位的规定的存储单元、和相邻的所述2个存储单元块中的另一方的存储单元块内的所述多个存储单元单位的规定的存储单元分别连接、选择所述2个存储单元块内的多个存储单元的多个单元栅，各个单元栅具有向与所述2个存储单元块的相邻方向正交的第1方向延伸的第1部分和从所述第1部分的端部向作为所述2个存储单元块的相邻方向的第2方向延伸的第2部分；以及

在所述存储单元块内形成于隔着所述多个单元栅的位置上，用于选择所述存储单元块的第1、第2选择栅；

其中，所述单元栅的所述第2部分具有与所述第1选择栅的端部相对的面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述多个单元栅，具有跨着相邻的所述2个存储单元块配置的大致矩形的闭环形状。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述多个单元栅，具有在相邻的2个存储单元块间环被分割的大致U字型的开环形状；

在相邻的2个存储单元块之间，各个所述开环形状的开口部以相对的方式被对称配置。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：所述多个单元栅，在1个所述存储单元块内，以所述开口部全部朝向同一方向的方式配置。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：所述多个单元栅，在1个所述存储单元块内，以所述开口部朝向相互相反的方向的方式按照每多数条配置。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述多个单元栅，在与所述2个存储单元块的相邻的方向平行的边的任意一个或双方的相邻单元栅间隔，比在与所述2个存储单元块的相邻的方向正交的方向的边的所述相邻单元栅间隔设定得更宽。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：连接所述多个单元栅和布线的接触，设置在相邻单元栅间隔被设定得更宽的所述多个单元栅的所述边上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述多个单元栅，在与所述2个存储单元块的相邻的方向平行的2边的相邻单元栅间隔，比在与所述2个存储单元块的相邻的方向正交的方向的边的所述相邻单元栅间隔设定得更宽；

连接所述多个单元栅和布线的接触，交替设置在相邻单元栅间隔被设定得更宽的所述多个单元栅的所述2边上。

9.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：配置在相邻的所述2个存储单元块内的所述多个单元栅，所述环的分割部分在所述相邻的2个存储单元块间排列在一直线上。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述多个单元栅的从外周侧向内周侧第n个单元栅和第(n+1)个单元栅形成的间隔，被设定为从规定的位置向着角部逐渐向内周侧变宽，其中n是奇数。