[发明专利]静电放电保护元件结构无效
| 申请号： | 200710109046.7 | 申请日： | 2007-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101325222A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 曾仁洲 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种静电放电保护元件结构，此结构包括半导体基版/井、第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区。第一掺杂区配置于半导体基版/井，并掺杂一第一掺质。第二掺杂区配置于半导体基版，掺杂一第二掺质，其中第二掺杂区与第一掺杂区相距一预定距离。第三掺杂区配置于第一掺杂区，并掺杂第二掺质。此结构可解决二极管的逆向恢复，并增加静电放电保护电路整体的保护效果。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 元件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护元件，其特征在于，所述的静电放电保护元件包括：一半导体基版；一第一掺杂区，配置于所述的半导体基版，掺杂一第一掺质；一第二掺杂区，配置于所述的半导体基版，掺杂一第二掺质；以及一第三掺杂区，配置于所述的第一掺杂区，掺杂所述的第二掺质，其中所述的第二掺杂区与所述的第一掺杂区相距一预定距离。
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