[发明专利]一种具有反转位线的与非门存储元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710108296.9 申请日: 2007-06-07
公开(公告)号: CN101090120A 公开(公告)日: 2007-12-19
发明(设计)人: 吴昭谊 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L23/522;H01L21/8247;H01L21/768
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 林锦辉
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种基于与非门的存储元件,其使用反转位线而不需要使用植入位线。因此,可以减少单元尺寸,进而在较小的封装中提供较大的密度。本发明同时公开了一种用于制造基于与非门的存储元件,其使用了反转位线。
搜索关键词: 一种 具有 反转 与非门 存储 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种存储元件,包括:衬底;位线;字线;存储单元,其包括:第一与第二扩散区域,所述位线配置为在所述衬底中形成多个反转位线,所述多个反转位线中的至少一个接近所述第一扩散区域,且所述多个反转位线中至少一个接近所述第二扩散区域;以及栅极结构,其与所述字线耦合。
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