[发明专利]一种具有反转位线的与非门存储元件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

衬底；

位线；

字线；

存储单元，其包括：

第一与第二扩散区域，所述位线配置为在所述衬底中形成多个反转位线，所述多个反转位线中的至少一个接近所述第一扩散区域，且所述多个反转位线中至少另一个接近所述第二扩散区域；以及

栅极结构，其与所述字线耦合。

2.如权利要求1所述的存储元件，其中，所述栅极结构包括多晶硅层和介质层。

3.如权利要求2所述的存储元件，其中，所述介质层包括氧化物-氮化物-氧化物结构。

4.如权利要求1所述的存储元件，其中，所述位线与所述字线并不平行。

5.如权利要求1所述的存储元件，还包括多个多晶硅区域，其形成在所述衬底上并与所述位线接触，所述多个多晶硅区域配置为将施加至所述位线上的电压耦合至所述衬底表面，以形成所述反转位线。

6.如权利要求5所述的存储元件，还包括氧化物薄膜，其将所述字线与所述多个多晶硅区域分隔开。

7.如权利要求1所述的存储元件，其中，所述多个反转位线通过施加5至10伏特的电压至所述位线而形成。

8.如权利要求1所述的存储元件，其中，所述多个反转位线配置为将电压传导至所述第一与第二扩散区域。

9.如权利要求1所述的存储元件，还包括多条字线。

10.如权利要求2所述的存储元件，还包括多个多晶硅区域，其连接至所述位线并形成在所述介质层上。

11.如权利要求1所述的存储元件，其中，所述衬底为P型衬底，且其中，所述多个扩散区域为N型植入区域。

12.如权利要求1所述的存储元件，其中，所述衬底为N型衬底，且其中，所述多个扩散区域为P型植入区域。

13.一种制造存储元件的方法，所述方法包括：

在衬底中形成第一与第二扩散区域；

在所述衬底上形成介质层；

在所述介质层上形成多晶硅层；

蚀刻所述多晶硅层，以形成多个多晶硅区域与多个沟槽以定义字线区域；

在所述沟槽所定义的所述字线区域中形成字线；以及

形成位线，其与通过蚀刻所形成的所述多个多晶硅区域接触，其中，所述存储元件利用多个反转位线，所述位线配置为在所述衬底中形成所述多个反转位线，所述多个反转位线中的至少一个接近所述第一扩散区域，且所述多个反转位线中至少另一个接近所述第二扩散区域。

14.如权利要求13所述的方法，其中，形成所述介质层的步骤包括在所述衬底上形成氧化物-氮化物-氧化物结构。

15.如权利要求13所述的方法，其中，形成所述位线的步骤包括在所述多晶硅层上形成另一多晶硅层，并蚀刻所述另一多晶硅层。

16.如权利要求13所述的方法，其中，形成所述字线的步骤包括在所述多个沟槽中形成多晶硅层。

17.如权利要求13所述的方法，其中，所述位线形成在所述字线之上。

18.如权利要求13所述的方法，其中，所述衬底为P型衬底，且所述多个扩散区域为N型植入区域。

19.如权利要求13所述的方法，其中，所述衬底为N型衬底，且所述多个扩散区域为P型植入区域。

20.一种非易失性存储元件，其利用权利要求13所述的方法制造而成。

21.一种与非门存储元件，其利用权利要求13所述的方法制造而成。