[发明专利]制造高分辨率纳米压印母版的方法

摘要

本发明公开了一种制造高分辨率纳米压印母版的方法。该方法将曝光并显影的正电子束抗蚀剂的负特征反转为纳米压印母版的构图的硅氮化物层中的正特征。第一耐氧化的掩模层用来构图沉积在硅氮化物层上的DLC层。构成DLC层之后，DLC层的负特征被填充以沉积的金属，该沉积的金属在去除留下的DLC层之后产生第二掩模层。第二掩模层用于蚀刻硅氮化物层，产生最终的纳米压印母版。

主权项

1.一种制造压印母版的方法，包括：提供具有硅氮化物构成的表面的基板；在所述基板的所述表面上形成DLC层；在所述DLC层上形成第一掩模层，所述第一掩模层选自主要包括Au、Pd、Pt、Ir、Rh、它们的合金、及多晶硅的组；通过构图所述第一掩模层产生构图的第一掩模；通过蚀刻所述DLC层将图案从所述构图的第一掩模转移到所述DLC层来产生构图的DLC掩模；在所述构图的DLC掩模和所述构图的第一掩模之上沉积第二掩模层；通过首先去除所述构图的第一掩模且然后去除所述构图的DLC掩模来从所述第二掩模层产生构图的第二掩模；及利用所述构图的第二掩模作为图案定义模板通过蚀刻所述基板的所述表面来反转所述图案。