[发明专利]制造高分辨率纳米压印母版的方法

权利要求书

1.一种制造压印母版的方法，包括：

提供具有硅氮化物构成的表面的基板；

在所述基板的所述表面上形成类金刚石碳层；

在所述类金刚石碳层上形成第一掩模层，所述第一掩模层选自包括Au、Pd、Pt、Ir、Ru、Rh、它们的合金、锗、及多晶硅的组；

通过构图所述第一掩模层产生构图的第一掩模；

通过蚀刻所述类金刚石碳层将图案从所述构图的第一掩模转移到所述类金刚石碳层来产生构图的类金刚石碳掩模；

在所述构图的类金刚石碳掩模和所述构图的第一掩模之上沉积第二掩模层；

通过首先去除所述构图的第一掩模且然后去除所述构图的类金刚石碳掩模来从所述第二掩模层产生构图的第二掩模；及

利用所述构图的第二掩模作为图案定义模板通过蚀刻所述基板的所述表面来反转所述图案。

2.如权利要求1的方法，其中产生构图的第一掩模还包括：

在所述第一掩模层上形成正电子束抗蚀剂层；

通过在所述正电子束抗蚀剂层中产生所述图案来产生构图的抗蚀剂掩模；及

利用所述构图的抗蚀剂掩模蚀刻所述第一掩模层从而转移所述图案至所述第一掩模层。

3.如权利要求2方法，其中所述第一掩模层利用离子研磨被蚀刻。

4.如权利要求2方法，其中所述构图的抗蚀剂掩模在所述类金刚石碳层的蚀刻期间被去除。

5.如权利要求2的方法，其中所述构图的抗蚀剂掩模在所述类金刚石碳层的蚀刻之前被去除。

6.如权利要求1的方法，其中所述类金刚石碳层在氧化气体环境中被蚀刻。

7.如权利要求1的方法，其中所述构图的类金刚石碳掩模具有通过蚀刻所述类金刚石碳层产生的负特征，所述第二掩模层填充所述负特征的至少一部分。

8.如权利要求1的方法，其中从所述第二掩模层产生构图的第二掩模还包括：

通过平坦化去除所述构图的第一掩模；然后，

通过在氧化气体环境中蚀刻来去除所述构图的类金刚石碳掩模。

9.如权利要求8的方法，其中所述构图的第一掩模通过化学机械抛光被去除。

10.如权利要求1的方法，其中所述第二掩模层选自包括Cu、Ag、Ni、Au、Pd、Pt、Ir、Ru、Rh、以及它们的合金的组。

11.如权利要求1的方法，其中所述第二掩模层包括Cu或Ni。

12.如权利要求1的方法，其中所述第二掩模层通过电镀形成。

13.一种制造压印母版的方法，包括：

提供具有硅氮化物构成的表面的基板；

在所述基板的所述表面上形成类金刚石碳层；

在所述类金刚石碳层上形成第一掩模层，所述第一掩模层选自包括Au、Pd、Pt、Ir、Ru、Rh、它们的合金、锗、及多晶硅的组；

在所述第一掩模层上形成正电子束抗蚀剂层；

通过在所述正电子束抗蚀剂层中产生图案来产生构图的抗蚀剂掩模；

通过利用所述构图的抗蚀剂掩模蚀刻所述第一掩模层以将所述图案转移至所述第一掩模层来产生构图的第一掩模；

通过蚀刻所述类金刚石碳层将所述图案从所述构图的第一掩模转移到所述类金刚石碳层来产生构图的类金刚石碳掩模；

在所述构图的类金刚石碳掩模和所述构图的第一掩模之上沉积第二掩模层；

通过首先去除所述构图的第一掩模且然后去除所述构图的类金刚石碳掩模来从所述第二掩模层产生构图的第二掩模；及

通过利用所述构图的第二掩模作为图案定义模板蚀刻所述基板的所述表面来反转所述图案。

14.如权利要求13的方法，其中所述第一掩模层利用离子研磨被蚀刻。

15.如权利要求13的方法，其中所述构图的抗蚀剂掩模在所述类金刚石碳层的蚀刻期间被去除。

16.如权利要求13的方法，其中所述构图的抗蚀剂掩模在所述类金刚石碳层的蚀刻之前被去除。

17.如权利要求13的方法，其中所述类金刚石碳层在氧化气体环境中被蚀刻。