[发明专利]用于对NAND闪存及NOR/NAND组合闪存编程的闪存编程器无效

专利信息
申请号: 200710102424.9 申请日: 2007-05-08
公开(公告)号: CN101071647A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 格雷格·阿米登;萨米勒·阿西姆·阿登米尔;格雷格·托帕姆 申请(专利权)人: 怀斯特尔技术有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;G11C16/10
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 王玉双
地址: 美国伊*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了一种用于对NAND闪存及NOR/NAND组合闪存编程的闪存编程器,以及当进行在线测试期间执行闪存器件NAND编程的方法和系统。闪存编程器可从在线测试器接收程序文件,以及从NAND闪存器件接收器件信息,且所述器件信息包括有关无效存储单元的信息。所述闪存编程器转换所述程序文件,以处理所述无效存储单元,并随后利用所述已转换的程序文件对所述NAND闪存器件编程。所述闪存编程器的在所述在线测试器和被测单元之间转换的功能还使得能够更有效地对其它闪存器件编程。
搜索关键词: 用于 nand 闪存 nor 组合 编程
【主权项】:
1.一种当进行在线测试期间对NAND闪存器件或NOR/NAND组合闪存器件编程的方法,其特征在于,包括以下步骤:从在线测试器接收用于对闪存器件编程的程序文件;获取待编程的闪存器件的相关器件信息,该器件信息包括所述闪存器件中无效存储单元的位置信息;在考虑所述无效存储单元的情况下转换所述程序文件;以及利用转换后的程序文件对所述闪存器件编程。
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