[发明专利]用于对NAND闪存及NOR/NAND组合闪存编程的闪存编程器

说明书

技术领域

本发明总的涉及可编程器件，尤其涉及能够当进行在线测试期间对NAND(与非)闪存器件及NOR(或非)/NAND组合闪存器件编程的闪存编程器。

背景技术

大量生产制品的制造商在对产品中可编程器件编程时有多种选择。一个选择是在将器件装配和焊接到印刷电路板(PCB)之前进行编程。另一个选择是在将器件焊接到PCB之后进行编程。

通常，在板编程(on board programming)比较灵活，这是因为编程本质上处于制造过程的后期部分。如果产品的定制出现在制造过程后期，潜在性的重复工作相对更少。将可编程器件拿去编程会产生2天至10天的延迟。所述延迟产生了提前10天预先编程现有器件的需要。如果出现了一个编程修改，则所有现有的及制备中的预编程器件均需要重新编程。在板编程器件将所述2天至10天的供应期降低为0，并相应降低任何环节均可能需要的对已生产的PCB重新编程需求。

有几种选择可用来进行器件在板编程。一个通用方法是利用在线测试器(In-Circuit Tester，ICT)将代码下载至器件。在进行大批量制造的情形下，下载时间加上实际ICT测试时间必须在制造过程的时间要求之内，或者可能会在ICT形成处理过程的瓶颈。对闪存编程速度的改进可能会消除这种瓶颈。在ICT的所需时间框架内进行的编程几乎是免费的，然而在板外或独立工作平台上的编程可能开销昂贵。如果利用ICT编程，则当已执行在线测试时，开销可能接近为零。编程速度对获得上述近乎零成本至关重要。

ICT通常利用向量处理器进行测试和编程。本质上，基于向量的系统善于“固定的”编程算法，而无法处理在高速运算中作出决策的编程方法。不幸的是，这些基于向量的系统不能编程NAND闪存器件或者NOR/NAND组合闪存器件。NOR/NAND闪存器件包括NOR特征和NAND特征。组合闪存技术有一些商业名称，比如Spansion的ORNAND和Samsung(三星)的ONENAND等。

由于NAND闪存器件成本低、封装尺寸小、以及容量大，所以工业上现在越来越多使用NAND闪存器件。由于每个器件通常都具有唯一的无效存储单元(bad cell)组，所以每个NAND闪存器件均可认为是唯一的。这样，由于数据保存在器件上不同的“有效(good)”区域，不可对编程的NAND闪存器件进行直接复制。基于向量的系统无法作出需要的决策，以针对NAND闪存器件中的无效存储单元问题进行调整。因此，NAND无法用ICT编程。同样，由于NOR/NAND组合闪存器件中具有NAND特征，所以也无法用ICT编程。

因此，一种当进行在线测试期间对NAND闪存器件和NOR/NAND组合闪存器件编程的方法将是有利的。

本申请与下列共同美国申请相关，其通过引用结合到本申请中：

美国专利申请＿＿，申请日为2006年6月15日，发明名称为“Programming Method for Write Buffer and Double Word FlashProgramming”，申请人为Amidon等；以及

美国专利申请＿＿，申请日为2006年6月15日，发明名称为“ParallelProgramming of Flash Memory During In-Circuit Test”，申请人为Amidon等。

发明内容

本发明公开了一种当进行在线测试期间对NAND闪存器件或NOR/NAND闪存器件编程的方法和系统。当进行在线测试期间对NAND闪存器件或NOR/NAND组合器件编程的方法包括：从在线测试器接收用于对闪存器件编程的程序文件；获取待编程的闪存器件的相关器件信息，该器件信息包括所述闪存器件中无效存储单元的位置信息；在考虑所述无效存储单元的情况下转换所述程序文件；以及利用转换后的程序文件对所述闪存器件编程。

获取器件信息的步骤可包括从所述闪存器件读取生产ID和器件ID。另外，获取器件信息的步骤可包括通过多路复用总线与所述闪存器件通信。

所述无效存储单元包括厂商标识的无效存储单元，以及在对所述闪存器件编程期间损坏的存储单元。转换程序文件的步骤包括利用块移动处理将代码转移到有效存储单元。所述程序文件可以是Motorola S-Record格式文件、Intel Hex格式文件、二进制格式文件、代码图像文件、或任何其它合适的格式文件。

所述方法还可能包括计算误差检验与校正码，在完成对所述闪存器件编程时，向所述在线测试器发出通知。