[发明专利]半导体装置及半导体装置的版图设计方法无效
| 申请号： | 200710102009.3 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101064302A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 嶋田纯一;木村文浩;松村阳一;大桥贵子;岩内宣之;藤野健哉;荒木章之;桥本幸治;安井卓也;田口浩文 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/02;H01L23/522;H01L23/528;H01L21/82;H01L21/768;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陆弋;宋志强 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有天线保护元件的半导体装置，相比现有技术可以更适于设计制造。构成与栅极(10)连接的配线(11、12、13)的配线层(M1～M3)中，各配线被设置为不覆盖天线保护元件(17)的活性区域上方。另一方面，其上层的配线层(M4)中设置的配线(18)，被设置为至少部分覆盖天线保护元件(17)的活性区域上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 版图 设计 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，该装置包括：栅极；天线保护元件，与所述栅极连接；第1配线，与所述栅极连接；第2配线，不与所述栅极连接，设置于所述第1配线的上层；其中，在构成所述第1配线的配线层中，各配线被设置为不覆盖所述天线保护元件的活性区域上方；所述第2配线被设置为至少部分覆盖所述天线保护元件的活性区域上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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