[发明专利]非易失性存储器件的操作方法无效

专利信息
申请号: 200710101038.8 申请日: 2007-04-23
公开(公告)号: CN101106135A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 朴允童;赵庆来;玄在雄;边成宰 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;G11C16/10;G11C16/26
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种以多位模式操作非易失性存储器件的方法,该非易失性存储器件可以以低操作电流操作并可以高度集成,其中第一掩埋电极用作第一位线,第二掩埋电极用作第二位线,栅电极用作字线。该方法包括编程2位数据到第一和第二电阻层;以及读取编程在该第一和第二电阻层中的该2位数据。
搜索关键词: 非易失性存储器 操作方法
【主权项】:
1.一种操作非易失性存储器件的方法,所述非易失性存储器件包括:半导体基板;第一和第二电阻层,形成在所述半导体基板的表面附近,其每个储存可变电阻状态;第一掩埋电极,形成在该第一电阻层之下在该半导体基板中,且连接到该第一电阻层;第二掩埋电极,形成在该第二电阻层之下在该半导体基板中,且连接到该第二电阻层;栅电极,形成在该半导体基板上且延伸跨过该第一和第二电阻层;以及栅极绝缘层,形成在该半导体基板与该栅电极之间,其中所述第一掩埋电极用作第一位线,所述第二掩埋电极用作第二位线,所述栅电极用作字线,该方法包括:编程2位数据到所述第一和第二电阻层;以及读取编程在所述第一和第二电阻层中的所述2位数据。
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