[发明专利]非易失性存储器件的操作方法无效
申请号: | 200710101038.8 | 申请日: | 2007-04-23 |
公开(公告)号: | CN101106135A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 朴允童;赵庆来;玄在雄;边成宰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;G11C16/10;G11C16/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种以多位模式操作非易失性存储器件的方法,该非易失性存储器件可以以低操作电流操作并可以高度集成,其中第一掩埋电极用作第一位线,第二掩埋电极用作第二位线,栅电极用作字线。该方法包括编程2位数据到第一和第二电阻层;以及读取编程在该第一和第二电阻层中的该2位数据。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种操作非易失性存储器件的方法,所述非易失性存储器件包括:半导体基板;第一和第二电阻层,形成在所述半导体基板的表面附近,其每个储存可变电阻状态;第一掩埋电极,形成在该第一电阻层之下在该半导体基板中,且连接到该第一电阻层;第二掩埋电极,形成在该第二电阻层之下在该半导体基板中,且连接到该第二电阻层;栅电极,形成在该半导体基板上且延伸跨过该第一和第二电阻层;以及栅极绝缘层,形成在该半导体基板与该栅电极之间,其中所述第一掩埋电极用作第一位线,所述第二掩埋电极用作第二位线,所述栅电极用作字线,该方法包括:编程2位数据到所述第一和第二电阻层;以及读取编程在所述第一和第二电阻层中的所述2位数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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