[发明专利]非易失性存储器件的操作方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储器件的方法，所述非易失性存储器件包括：

半导体基板；

第一和第二电阻层，形成在所述半导体基板的表面附近，其每个储存可变电阻状态；

第一掩埋电极，形成在该第一电阻层之下在该半导体基板中，且连接到该第一电阻层；

第二掩埋电极，形成在该第二电阻层之下在该半导体基板中，且连接到该第二电阻层；

栅电极，形成在该半导体基板上且延伸跨过该第一和第二电阻层；以及

栅极绝缘层，形成在该半导体基板与该栅电极之间，

其中所述第一掩埋电极用作第一位线，所述第二掩埋电极用作第二位线，所述栅电极用作字线，该方法包括：

编程2位数据到所述第一和第二电阻层；以及

读取编程在所述第一和第二电阻层中的所述2位数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述编程2位数据包括在两种状态之间改变该第一和第二电阻层每个的电阻。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述编程中，当编程电压施加到所述第一位线且导通电压施加到所述字线从而形成连接所述第二掩埋电极和所述第一电阻层的深沟道时，该第一电阻层的电阻被改变。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述编程中，当编程电压施加到所述第二位线且导通电压施加到所述字线从而形成连接所述第一掩埋电极和所述第二电阻层的深沟道时，该第二电阻层的电阻被改变。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述读取2位数据包括形成深沟道以连接所述掩埋电极之一和相邻的所述电阻层之一并顺序测量所述第一位线和所述第二位线之间的双向电流。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述读取2位数据包括形成浅沟道以连接所述第一电阻层和所述第二电阻层并测量所述第一位线和所述第二位线之间的至少单向电流。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述测量单向电流使用至少两水平的读取电压重复。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括同时擦除储存在所述第一电阻层和所述第二电阻层中的数据。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述同时擦除数据包括形成浅沟道以连接所述第一电阻层和所述第二电阻层且施加擦除电压在该第一位线和该第二位线之间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二电阻层包括从Nb₂O₅、Cr掺杂SrTiO₃、ZrO_x、GeSb_xTe_y、NiO、ZnO、TiO₂和HfO构成的组中选择的至少一种。

11.一种操作非易失性存储器件的方法，所述非易失性存储器件包括：

半导体基板；

多个电阻层，形成在所述半导体基板表面附近，其每个储存可变电阻状态；

多个掩埋电极，形成在所述电阻层之下在所述半导体基板中，且分别连接所述电阻层；

栅电极，延伸跨过所述电阻层；以及

栅极绝缘层，在所述半导体基板和所述栅电极之间，

其中所述掩埋电极用作多个位线，所述栅电极用作字线，该方法包括：

编程2位数据到相邻的两个电阻层；以及

读取编程在所述相邻的电阻层中的该2位数据。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述编程2位数据包括在两状态之间改变所述两个相邻电阻层每个的电阻。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述编程中，所述两个相邻电阻层的一个电阻改变包括形成连接该两个相邻电阻层之一和所述掩埋电极中的相邻一个的深沟道，并施加编程电压到连接到所述两个相邻电阻层之一的位线。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述读取2位数据包括形成连接所述两个相邻电阻层之一和所述掩埋电极中的相邻一个的深沟道，并顺序测量连接到所述两个相邻电阻层的所述位线之间的双向电流。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述读取2位数据包括形成连接所述两个相邻电阻层的浅沟道，并测量连接到所述两个相邻电阻层的所述位线之间的单向电流。