[发明专利]具有高度光取出率的半导体发光元件有效
| 申请号： | 200710100968.1 | 申请日： | 2007-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101295757A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 王伟凯;林素慧;施文忠 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光元件及其制造方法。根据本发明的半导体发光元件包含基板、多层结构、最顶层以及至少一个电极。该多层结构形成于该基板上并且包含发光区。该最顶层形成于该多层结构上，并且该最顶层的侧壁的下部分呈现第一表面形态，该第一表面形态与第一图案相关。此外，该最顶层的侧壁的上部分呈现第二表面形态，该第二表面形态与第二图案相关。该至少一个电极形成于该最顶层上。因此，根据本发明的半导体发光元件，其侧壁呈现表面形态，因此能增加侧边光取出的表面积，以提高半导体发光元件的光取出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高度 取出 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1、一种制造一半导体发光元件的方法，包含下列步骤：(a)制备一基板；(b)形成一多层结构于该基板上，该多层结构包含一发光区；(c)形成一最顶层于该多层结构上；(d)形成一蚀刻阻抗层，该蚀刻阻抗层大体上覆盖该最顶层，致使该最顶层的边界外露，该蚀刻阻抗层的边界呈现一第一图案；(e)蚀刻该最顶层的该外露的边界；(f)移除该蚀刻阻抗层；以及(g)于该最顶层上形成至少一个电极；其中该最顶层的侧壁呈现一与该第一图案相关的表面型态。
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